-
1 граничный слой
граничный слой м. Grenzschicht f; Randschicht fБольшой русско-немецкий полетехнический словарь > граничный слой
-
2 запорный слой на границе металл-полупроводник
Engineering: metal-semiconductor barrierУниверсальный русско-английский словарь > запорный слой на границе металл-полупроводник
-
3 светоизлучающий транзистор с переходом металл – диэлектрик – полупроводник – органический слой (активно-матричная электролюминесцентная панель /EL-панель/ с использованием органической TFT-матрицы)
Electronics: MIS-OLETУниверсальный русско-английский словарь > светоизлучающий транзистор с переходом металл – диэлектрик – полупроводник – органический слой (активно-матричная электролюминесцентная панель /EL-панель/ с использованием органической TFT-матрицы)
-
4 структура металл-толстый слой нитрида-полупроводник
Engineering: metal-thick nitride-semiconductorУниверсальный русско-английский словарь > структура металл-толстый слой нитрида-полупроводник
-
5 структура металл-толстый слой оксида-полупроводник
Engineering: metal-thick oxide-semiconductorУниверсальный русско-английский словарь > структура металл-толстый слой оксида-полупроводник
-
6 светоизлучающий транзистор с переходом металл – диэлектрик – полупроводник – органический слой
Electronics: (активно-матричная электролюминесцентная панель /EL-панель/ с использованием органической TFT-матрицы) MIS-OLETУниверсальный русско-английский словарь > светоизлучающий транзистор с переходом металл – диэлектрик – полупроводник – органический слой
-
7 граничный слой металл-полупроводник
Универсальный русско-немецкий словарь > граничный слой металл-полупроводник
-
8 metal-semiconductor barrier
1) Техника: барьер Шотки, запорный барьер на границе металл-полупроводник, запорный слой на границе металл-полупроводник, переход металл - полупроводник2) Космонавтика: запорный слой на границе металла-полупроводника3) Микроэлектроника: барьер Шоттки4) Солнечная энергия: барьер металл-полупроводникУниверсальный англо-русский словарь > metal-semiconductor barrier
-
9 semelle
сущ.1) общ. подмётка, подошва, стелька2) мор. подъякорная доска3) перен. подмётка (о жёстком мясе)4) спорт. (du ski) скользящая поверхность лыжи5) тех. забой, опора, основание, основная плита, оставляемого в почве, подошва фундамента, полупроводник с электронной проводимостью, почва, рельсовая подкладка, слой полезного ископаемого, ступня, фундаментная плита, электронный полупроводник, поясная накладка (двутавровой балки), опорная плита (машины), основа (покрытия пола), подошва (чулочно-носочных изделий), полупроводник типа п, башмак, закраина, подушка, выдвижной киль, горизонт, нижний пояс фермы, пачка полезного ископаемого, подошва рельса, поясной лист, реборда, след, стопа, проступь (лестницы), подошва (пласта, выработки), подоснова (покрытия пола)6) стр. лёжень, нижняя обвязка, подбалка, подоснова (в половых покрытиях), фундамент, ростверк, горизонтальный брус7) горн. зумпф8) метал. подошва (напр., фундамента печи) -
10 Schottkysche Randschicht
сущ.микроэл. барьер Шоттки, запорный слой Шоттки, идеальный переход металл полупроводник, идеальный переход металл-полупроводникУниверсальный немецко-русский словарь > Schottkysche Randschicht
-
11 двумерный проводник
Двумерный проводникИскусственно созданная электропроводящая система на границе раздела двух плохо проводящих сред, например, вакуум — диэлектрик, полупроводник — диэлектрик. Простейший двумерный проводник — слой электронов, удерживаемых над поверхностью диэлектрика (например, жидкого Не) силами электростатического изображения (электроны поляризуют диэлектрик и притягиваются к нему), а также внешним постоянным электрическим полем, приложенным перпендикулярно поверхности диэлектрика. Аналогично в гетероструктурах (например, на основе GaAs) и у поверхности полупроводников (Si, Ge, InSb и др.) образуется двумерный слой с избыточной концентрацией носителей заряда.Англо-русский словарь по нанотехнологиям > двумерный проводник
-
12 two-dimensional conductor
Двумерный проводникИскусственно созданная электропроводящая система на границе раздела двух плохо проводящих сред, например, вакуум — диэлектрик, полупроводник — диэлектрик. Простейший двумерный проводник — слой электронов, удерживаемых над поверхностью диэлектрика (например, жидкого Не) силами электростатического изображения (электроны поляризуют диэлектрик и притягиваются к нему), а также внешним постоянным электрическим полем, приложенным перпендикулярно поверхности диэлектрика. Аналогично в гетероструктурах (например, на основе GaAs) и у поверхности полупроводников (Si, Ge, InSb и др.) образуется двумерный слой с избыточной концентрацией носителей заряда.Англо-русский словарь по нанотехнологиям > two-dimensional conductor
-
13 двумерный проводник
Двумерный проводникИскусственно созданная электропроводящая система на границе раздела двух плохо проводящих сред, например, вакуум — диэлектрик, полупроводник — диэлектрик. Простейший двумерный проводник — слой электронов, удерживаемых над поверхностью диэлектрика (например, жидкого Не) силами электростатического изображения (электроны поляризуют диэлектрик и притягиваются к нему), а также внешним постоянным электрическим полем, приложенным перпендикулярно поверхности диэлектрика. Аналогично в гетероструктурах (например, на основе GaAs) и у поверхности полупроводников (Si, Ge, InSb и др.) образуется двумерный слой с избыточной концентрацией носителей заряда.Russian-English dictionary of Nanotechnology > двумерный проводник
-
14 two-dimensional conductor
Двумерный проводникИскусственно созданная электропроводящая система на границе раздела двух плохо проводящих сред, например, вакуум — диэлектрик, полупроводник — диэлектрик. Простейший двумерный проводник — слой электронов, удерживаемых над поверхностью диэлектрика (например, жидкого Не) силами электростатического изображения (электроны поляризуют диэлектрик и притягиваются к нему), а также внешним постоянным электрическим полем, приложенным перпендикулярно поверхности диэлектрика. Аналогично в гетероструктурах (например, на основе GaAs) и у поверхности полупроводников (Si, Ge, InSb и др.) образуется двумерный слой с избыточной концентрацией носителей заряда.Russian-English dictionary of Nanotechnology > two-dimensional conductor
-
15 MIS-OLET
Электроника: Metal – Insulator - Semiconductor – Organic Light Emitting Transistor, светоизлучающий транзистор с переходом металл – диэлектрик – полупроводник – органический слой (активно-матричная электролюминесцентная панель /EL-панель/ с использованием органической TFT-матрицы) -
16 metal-thick nitride-semiconductor
Универсальный англо-русский словарь > metal-thick nitride-semiconductor
-
17 metal-thick oxide-semiconductor
Универсальный англо-русский словарь > metal-thick oxide-semiconductor
-
18 Grenzschicht-Metall-Halbleiter
сущ.Универсальный немецко-русский словарь > Grenzschicht-Metall-Halbleiter
-
19 MTNS
1. metal-thick nitride-semiconductor - структура "металл-толстый слой нитрида-полупроводник";2. metal-thick nitride-silicon - кремниевая МОП-структура с изоляцией нитридом кремния -
20 MTOS
1. metal-thick oxide-semiconductor - структура "металл-толстый слой оксида-полупроводник";2. metal-thick oxide - silicon - кремниевая МОП-структура с толстым изолирующим слоем
- 1
- 2
См. также в других словарях:
Слой обогащения — Для улучшения этой статьи желательно?: Найти и оформить в виде сносок ссылки на авторитетные источники, подтверждающие написанное. Термин сло … Википедия
ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ — область полупроводника у его поверхности, в к рой равновесная концентрация неосновных носителей заряда больше, чем основных. И. с. возникает, когда поверхность ПП n типа (р типа) по отношению к объёму находится под достаточно большим… … Физическая энциклопедия
ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ — ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ, слой у границы полупроводника, отличающийся от внутренних областей противоположным знаком основных носителей заряда (см. НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА). Может образовываться как у свободной границы, так и у границы раздела с диэлектриком,… … Энциклопедический словарь
КОНТАКТ МЕТАЛЛ - ПОЛУПРОВОДНИК — (от лат. contactus прикосновение) переходная область между приведёнными в соприкосновение металлом и полупроводником, обеспечивающая прохождение электрич. тока между ними. При установлении К. м. п. вследствие различия в работе выхода электронов… … Большой энциклопедический политехнический словарь
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… … Физическая энциклопедия
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — прибор для регистрации ч ц, осн. элементом к рого явл. кристалл полупроводника. Регистрируемая ч ца, проникая в кристалл, генерирует в нём дополнит. (неравновесные) электронно дырочные пары. Носители заряда (электроны и дырки) под действием… … Физическая энциклопедия